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Infineon Módulo Igbt Fp75r12kt3 1200v 75a
O Módulo IGBT Infineon FP75R12KT3 é um dispositivo de potência projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Com uma tensão de 1200V e corrente de 75A, ele oferece excelente desempenho em conversão de energia. Suas principais características incluem baixa perda de energia, alta capacidade de manuseio térmico e robustez em condições adversas. Ideal para inversores, sistemas de tração e automação industrial, este módulo proporciona maior eficiência energética e redução de custos operacionais, tornando-se uma escolha ideal para engenheiros e projetistas que buscam soluções de potência avançadas.
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Descrição
Descrição do Produto: Infineon Módulo IGBT FP75R12KT3 1200V 75A
O Módulo IGBT FP75R12KT3 da Infineon é uma solução de alta performance projetada para aplicações que exigem eficiência e confiabilidade. Com uma configuração de inversor trifásico, este módulo de silício IGBT é ideal para sistemas de controle de potência, como inversores de frequência, conversores de energia e sistemas de tração elétrica. Com uma tensão coletor-emissor máxima de 1,2 kV e uma corrente contínua do coletor de até 105 A a 25°C, o FP75R12KT3 se destaca em ambientes desafiadores, garantindo operação estável e segura.
A tensão de saturação coletor-emissor de apenas 1,7 V proporciona uma eficiência energética superior, reduzindo as perdas durante a operação. Com uma dissipação de potência de 355 W, este módulo é capaz de suportar altas cargas térmicas, tornando-o ideal para aplicações industriais e automotivas. O invólucro Econo 3, com dimensões de 122 mm de comprimento, 62 mm de largura e 17 mm de altura, permite uma montagem em chassi fácil e eficiente, otimizando o espaço em projetos eletrônicos.
A temperatura mínima de operação de -40°C e a máxima de +125°C garantem que o FP75R12KT3 funcione de maneira confiável em uma ampla gama de condições ambientais. Com uma corrente de fuga do gate-emissor de apenas 400 nA e uma tensão máxima gate-emissor de 20 V, este módulo oferece um controle preciso e eficiente, essencial para aplicações que requerem alta confiabilidade.
1. Alta Eficiência Energética: Com baixa tensão de saturação, o módulo reduz as perdas de energia, resultando em menor custo operacional.
2. Versatilidade de Aplicação: Ideal para inversores de frequência e sistemas de tração, atendendo a diversas necessidades industriais.
3. Robustez em Condições Extremas: Suporta temperaturas de -40°C a +125°C, garantindo operação em ambientes desafiadores.
4. Fácil Montagem: O design Econo 3 facilita a integração em sistemas existentes, economizando tempo e recursos.
5. Confiabilidade Superior: A baixa corrente de fuga e a alta capacidade de dissipação de potência asseguram um desempenho estável e duradouro.
Para utilizar o Módulo IGBT FP75R12KT3, recomenda-se integrá-lo em um circuito de inversor trifásico, garantindo que as conexões do coletor e do emissor estejam corretamente alinhadas com os componentes do sistema. É essencial monitorar a temperatura de operação e utilizar dissipadores de calor adequados para maximizar a eficiência e a vida útil do módulo. Além disso, verifique as especificações do gate para garantir que a tensão não exceda 20 V durante a operação.
– Fabricante: Infineon Technologies
– Categoria do Produto: Módulos IGBT
– Configuração: Inversor Trifásico
– Tensão Coletor-Emissor VCEO Máx.: 1.2 kV
– Tensão de Saturação Coletor-Emissor: 1.7 V
– Corrente Contínua do Coletor a 25°C: 105 A
– Corrente de Fuga do Gate-Emissor: 400 nA
– Dissipação de Potência: 355 W
– Invólucro / Caixa: Econo 3
– Temperatura Mínima de Operação: -40°C
– Temperatura Máxima de Operação: +125°C
– Embalagem: Bandeja
– Estilo de Montagem: Montagem em Chassi
– Série: Trenchstop IGBT3 – T3
– Tecnologia: Si
– Nome Comercial: TRENCHSTOP EconoPIM
– Peso Unitário: 300 g
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Informação adicional
Marca | Infineon |
---|---|
Modelo | FP75R12KT3 |
Tipo de módulo IGBT | Simple |
Altura | 1,7 cm |
Largura | 6,2 cm |
Comprimento | 12,2 cm |
Peso | 300 g |
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