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Infineon Igbt Fz800r12ke3
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O Infineon IGBT FZ800R12KE3 é um transistor de potência de alta eficiência, projetado para aplicações industriais e de energia. Suas principais características incluem: – **Alta capacidade de corrente**: Suporta até 800A, ideal para aplicações que exigem alta potência. – **Baixa perda de energia**: Proporciona eficiência energética superior, reduzindo custos operacionais. – **Alta confiabilidade**: Construído para operar em condições exigentes, garantindo durabilidade e desempenho consistente. – **Tecnologia avançada**: Utiliza tecnologia de semicondutores de última geração, melhorando a resposta e a eficiência do sistema. Benefícios incluem maior eficiência em sistemas de conversão de energia, redução de custos com energia e maior vida…
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Descrição
Descrição do Produto: Infineon IGBT FZ800R12KE3
Apresentamos o Infineon IGBT FZ800R12KE3, um componente eletrônico de alta performance que se destaca no mercado por sua eficiência e confiabilidade. Este IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) é ideal para aplicações em inversores, conversores de energia e sistemas de controle de motores, oferecendo uma solução robusta para projetos que exigem alta potência e desempenho. Com uma capacidade de corrente de 800A e uma tensão de coletor-emissor de 1200V, o FZ800R12KE3 é projetado para suportar as demandas mais rigorosas da indústria.
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Este IGBT é fabricado com tecnologia de ponta, garantindo uma baixa perda de energia e um excelente desempenho térmico. Sua estrutura avançada permite uma rápida comutação, reduzindo o tempo de resposta e aumentando a eficiência geral do sistema. O FZ800R12KE3 é ideal para aplicações em energias renováveis, como sistemas fotovoltaicos, onde a eficiência energética é crucial.
Benefícios Destacados pela BeOn Store:
1. Alta Eficiência Energética: Reduz o consumo de energia em aplicações industriais.
2. Confiabilidade Superior: Projetado para operar em condições extremas, garantindo durabilidade.
3. Baixa Perda de Potência: Minimiza o desperdício de energia durante a operação.
4. Versatilidade de Aplicação: Ideal para uma ampla gama de sistemas, desde automação industrial até energias renováveis.
5. Fácil Integração: Compatível com diversos circuitos e sistemas, facilitando a implementação.
1. Alta Eficiência Energética: Reduz o consumo de energia em aplicações industriais.
2. Confiabilidade Superior: Projetado para operar em condições extremas, garantindo durabilidade.
3. Baixa Perda de Potência: Minimiza o desperdício de energia durante a operação.
4. Versatilidade de Aplicação: Ideal para uma ampla gama de sistemas, desde automação industrial até energias renováveis.
5. Fácil Integração: Compatível com diversos circuitos e sistemas, facilitando a implementação.
– Sugestão de Uso:
Para utilizar o Infineon IGBT FZ800R12KE3, recomenda-se integrá-lo em circuitos de controle de potência, onde sua capacidade de comutação rápida pode ser aproveitada. É importante garantir que o dispositivo esteja adequadamente refrigerado, utilizando dissipadores de calor apropriados para evitar superaquecimento. A conexão deve ser feita com atenção às polaridades e especificações do fabricante, assegurando um desempenho ideal.
Para utilizar o Infineon IGBT FZ800R12KE3, recomenda-se integrá-lo em circuitos de controle de potência, onde sua capacidade de comutação rápida pode ser aproveitada. É importante garantir que o dispositivo esteja adequadamente refrigerado, utilizando dissipadores de calor apropriados para evitar superaquecimento. A conexão deve ser feita com atenção às polaridades e especificações do fabricante, assegurando um desempenho ideal.
Características do Produto:
– Modelo: FZ800R12KE3
– Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
– Corrente de Coletor: 800A
– Tensão de Coletor-Emissor: 1200V
– Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
– Comutação Rápida: Ideal para aplicações que exigem alta frequência.
– Tecnologia de Fabricação: Baseada em silício, garantindo alta eficiência e confiabilidade.
– Modelo: FZ800R12KE3
– Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
– Corrente de Coletor: 800A
– Tensão de Coletor-Emissor: 1200V
– Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
– Comutação Rápida: Ideal para aplicações que exigem alta frequência.
– Tecnologia de Fabricação: Baseada em silício, garantindo alta eficiência e confiabilidade.
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Informação adicional
| Marca | Infineon |
|---|---|
| Modelo | FZ800R12KE3 |
| Tipo de módulo IGBT | Simple |
| Altura | 40 mm |
| Largura | 60 mm |
| Comprimento | 108 mm |
| Peso | 300 g |
| É kit | Não |
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