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Infineon Igbt Bsm75gd120dlc Bsm75gd120dn2 Módulo Igbt 1200v 75a Novo
R$ 873,80
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O módulo IGBT Infineon BSM75GD120DLC/BSM75GD120DN2 é um dispositivo de potência de alta eficiência, projetado para aplicações que exigem desempenho robusto. Com uma tensão de 1200V e corrente de 75A, ele oferece excelente capacidade de manuseio de energia. Suas principais características incluem baixa perda de comutação, alta confiabilidade e um design compacto que facilita a integração em sistemas eletrônicos. Ideal para inversores, conversores e aplicações industriais, este módulo proporciona eficiência energética e redução de custos operacionais, tornando-se uma escolha ideal para engenheiros e projetistas que buscam soluções de potência avançadas.
Este produto é vendido e entregue por fornecedor autorizado. Garantimos a autenticidade e qualidade. Para mais informações, consulte nossa Política Comercial.
Descrição
Módulo IGBT BSM75GD120DN2 – 1200V 75A da Infineon
O Módulo IGBT BSM75GD120DN2 da Infineon é uma solução de alta performance para aplicações que exigem robustez e eficiência. Com uma tensão máxima de coletor-emissor (VCEO) de 1,2kV e uma corrente contínua do coletor de até 103A a 25°C, este módulo é ideal para sistemas de potência que demandam confiabilidade e desempenho superior. Sua saturação de tensão do coletor-emissor é de apenas 2,5V, o que garante uma operação eficiente e minimiza perdas energéticas.
Este módulo IGBT é projetado para operar em uma faixa de temperatura de 0 a 150°C, permitindo sua utilização em ambientes desafiadores. Com dimensões compactas de 17mm de altura, 122mm de comprimento e 62mm de largura, o BSM75GD120DN2 se adapta facilmente a diferentes configurações de montagem, tornando-o uma escolha versátil para engenheiros e técnicos.
PRONTA ENTREGA, COM NOTA FISCAL PJ e PF! ENVIO IMEDIATO!
Loja Física: Tekni-Mas Máquinas LTDA
Localização: Novo Hamburgo / RS
Garantia do vendedor: 2 meses
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Benefícios Destacados pela BeOn Store:
1. Alta Eficiência Energética: Com baixa saturação de tensão, o módulo reduz perdas, aumentando a eficiência do sistema.
2. Robustez em Condições Extremas: A faixa de temperatura de operação permite uso em ambientes desafiadores, garantindo durabilidade.
3. Facilidade de Integração: Suas dimensões compactas facilitam a instalação em diversos projetos, otimizando o espaço disponível.
4. Confiabilidade: A corrente de fuga base-emissor de apenas 320nA assegura um desempenho estável e confiável ao longo do tempo.
5. Versatilidade de Aplicação: Ideal para inversores, conversores e sistemas de controle de motores, atendendo a diversas necessidades industriais.
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Sugestão de Uso:
Para utilizar o Módulo IGBT BSM75GD120DN2, recomenda-se seguir as diretrizes de instalação e operação do fabricante. É essencial garantir que o módulo esteja adequadamente refrigerado, especialmente em aplicações que operam em altas correntes. A conexão deve ser feita com atenção às polaridades e especificações elétricas, respeitando os limites de tensão e corrente para evitar danos. Para maximizar a eficiência, considere o uso de dissipadores de calor e circuitos de proteção.
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Características do Produto:
– Marca: Infineon
– Modelo: BSM75GD120DN2
– VCEO Máx: 1,2kV
– VGE: 20V
– Saturação de Tensão do Coletor-Emissor: 2,5V
– Corrente de Fuga Base-Emissor: 320nA
– Corrente Contínua do Coletor em 25°C: 103A
– Faixa de Temperatura: 0 – 150°C
– Dimensões: 17mm (altura) x 122mm (comprimento) x 62mm (largura)
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Informação adicional
| Marca | Infineon |
|---|---|
| Modelo | BSM75GD120DN2 |
| Tipo de módulo IGBT | Simple |
| Altura | 20 mm |
| Largura | 62 mm |
| Comprimento | 122 mm |
| Peso | 180 g |
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