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Infineon Igbt Bsm50gd120dn2e3226
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O Infineon IGBT BSM50GD120DN2E3226 é um transistor de potência projetado para aplicações de alta eficiência e confiabilidade. Suas principais características incluem: – **Alta capacidade de corrente**: Suporta até 50A, ideal para aplicações que exigem alta potência. – **Tensão nominal de 1200V**: Permite operação em ambientes de alta tensão, aumentando a versatilidade do dispositivo. – **Baixa perda de energia**: Proporciona eficiência energética superior, reduzindo custos operacionais e melhorando a sustentabilidade. – **Rápida comutação**: Melhora o desempenho em aplicações de inversores e conversores, resultando em maior eficiência geral. – **Construção robusta**: Projetado para suportar condições adversas, garantindo durabilidade e confiabilidade a longo…
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Descrição
Descrição do Produto: Infineon IGBT BSM50GD120DN2E3226
Apresentamos o Infineon IGBT BSM50GD120DN2E3226, um componente eletrônico de alta performance que se destaca no mercado por sua confiabilidade e eficiência. Este IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) é projetado para aplicações que exigem alta tensão e corrente, sendo capaz de suportar até 1200V e 50A. Ideal para sistemas de conversão de energia, inversores e aplicações industriais, o BSM50GD120DN2E3226 é a escolha perfeita para engenheiros e técnicos que buscam qualidade e inovação.
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Com uma construção robusta e tecnologia de ponta, o Infineon IGBT BSM50GD120DN2E3226 oferece uma excelente capacidade de comutação, reduzindo as perdas de energia e aumentando a eficiência geral do sistema. Sua estrutura de encapsulamento é otimizada para dissipação de calor, garantindo um desempenho estável mesmo em condições adversas. Este componente é ideal para aplicações em sistemas de tração elétrica, fontes de alimentação e conversores de frequência.
Benefícios Destacados pela BeOn Store:
1. Alta Eficiência Energética: Reduz as perdas de energia, contribuindo para sistemas mais sustentáveis.
2. Confiabilidade Superior: Projetado para suportar condições extremas, garantindo durabilidade e desempenho.
3. Versatilidade de Aplicação: Ideal para uma ampla gama de aplicações industriais e comerciais.
4. Fácil Integração: Compatível com diversos sistemas, facilitando a implementação em projetos existentes.
5. Suporte Técnico: Acompanhado de documentação técnica e suporte para instalação e uso.
1. Alta Eficiência Energética: Reduz as perdas de energia, contribuindo para sistemas mais sustentáveis.
2. Confiabilidade Superior: Projetado para suportar condições extremas, garantindo durabilidade e desempenho.
3. Versatilidade de Aplicação: Ideal para uma ampla gama de aplicações industriais e comerciais.
4. Fácil Integração: Compatível com diversos sistemas, facilitando a implementação em projetos existentes.
5. Suporte Técnico: Acompanhado de documentação técnica e suporte para instalação e uso.
– Sugestão de Uso:
Para utilizar o Infineon IGBT BSM50GD120DN2E3226, recomenda-se integrá-lo em circuitos de controle de potência, onde sua capacidade de comutação rápida pode ser aproveitada. É essencial garantir que o dispositivo esteja devidamente refrigerado e que as conexões elétricas sejam feitas com precisão para evitar falhas. Utilize dissipadores de calor adequados e siga as especificações do fabricante para maximizar a eficiência e a vida útil do componente.
Para utilizar o Infineon IGBT BSM50GD120DN2E3226, recomenda-se integrá-lo em circuitos de controle de potência, onde sua capacidade de comutação rápida pode ser aproveitada. É essencial garantir que o dispositivo esteja devidamente refrigerado e que as conexões elétricas sejam feitas com precisão para evitar falhas. Utilize dissipadores de calor adequados e siga as especificações do fabricante para maximizar a eficiência e a vida útil do componente.
Características do Produto:
– Tensão Máxima: 1200V
– Corrente Máxima: 50A
– Tipo de Encapsulamento: D2PAK
– Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
– Comutação Rápida: Ideal para aplicações que exigem alta frequência.
– Baixas Perdas de Condução: Aumenta a eficiência do sistema.
– Tensão Máxima: 1200V
– Corrente Máxima: 50A
– Tipo de Encapsulamento: D2PAK
– Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
– Comutação Rápida: Ideal para aplicações que exigem alta frequência.
– Baixas Perdas de Condução: Aumenta a eficiência do sistema.
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Informação adicional
| Marca | Infineon |
|---|---|
| Modelo | BSM50GD120DN2E3226 |
| Tipo de módulo IGBT | Simple |
| Altura | 15 mm |
| Largura | 45 mm |
| Comprimento | 117 mm |
| Peso | 180 g |
| É kit | Não |
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