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Infineon Igbt Bsm10gd120dn2
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O Infineon IGBT BSM10GD120DN2 é um transistor de potência projetado para aplicações de alta eficiência e desempenho. Com uma tensão de coletor-emissor de 1200V e uma corrente de 10A, ele oferece excelente capacidade de manuseio de energia. Suas principais características incluem baixa perda de comutação, alta confiabilidade e robustez térmica, tornando-o ideal para inversores, conversores e sistemas de energia renovável. A tecnologia avançada de encapsulamento garante uma dissipação de calor eficiente, aumentando a durabilidade e a eficiência do sistema. É uma escolha ideal para aplicações que exigem alta eficiência energética e desempenho confiável.
Este produto é vendido e entregue por fornecedor autorizado. Garantimos a autenticidade e qualidade. Para mais informações, consulte nossa Política Comercial.
Descrição
Descrição do Produto: Infineon IGBT BSM10GD120DN2
O Infineon IGBT BSM10GD120DN2 é um dispositivo de potência de última geração, projetado para aplicações que exigem alta eficiência e confiabilidade. Este módulo IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) é ideal para sistemas de conversão de energia, como inversores, controladores de motor e fontes de alimentação. Com uma capacidade de corrente nominal de 10A e uma tensão de bloqueio de 1200V, o BSM10GD120DN2 se destaca pela sua robustez e desempenho superior em condições adversas.
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LOJA DO ELETRÔNICO
Garantia do vendedor: 1 mês
Este IGBT é construído com tecnologia avançada, garantindo uma baixa perda de energia e um tempo de comutação rápido, o que resulta em um desempenho otimizado para aplicações industriais e automotivas. A sua estrutura compacta permite uma fácil integração em sistemas eletrônicos, tornando-o uma escolha popular entre engenheiros e técnicos.
Benefícios Destacados pela BeOn Store:
1. Alta Eficiência Energética: Reduz o consumo de energia em aplicações de potência.
2. Confiabilidade Superior: Projetado para operar em condições extremas, garantindo durabilidade.
3. Baixa Perda de Comutação: Melhora o desempenho geral do sistema, aumentando a vida útil dos componentes.
4. Fácil Integração: Design compacto que facilita a instalação em diversos sistemas eletrônicos.
5. Versatilidade de Aplicação: Ideal para inversores, controladores de motor e outras aplicações de conversão de energia.
– Sugestão de Uso:
Para utilizar o Infineon IGBT BSM10GD120DN2, recomenda-se integrá-lo em circuitos de controle de potência, onde sua capacidade de suportar altas tensões e correntes pode ser aproveitada. É essencial seguir as diretrizes de instalação e conexão, garantindo que o módulo esteja devidamente refrigerado para evitar superaquecimento. Utilize dissipadores de calor adequados e verifique as especificações do fabricante para otimizar o desempenho.
Características do Produto:
– Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
– Tensão de Bloqueio: 1200V
– Corrente Nominal: 10A
– Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
– Comutação Rápida: Reduz o tempo de resposta em aplicações dinâmicas
– Estrutura Compacta: Facilita a montagem em sistemas eletrônicos
– Tecnologia de Silício: Garante alta eficiência e confiabilidade
Explore o potencial do Infineon IGBT BSM10GD120DN2 e transforme suas aplicações eletrônicas com um componente que combina inovação e eficiência. Não perca a oportunidade de adquirir este produto de alta qualidade e descubra também outros itens em nossa loja que podem complementar seu projeto. Clique agora e confira!
Informação adicional
| Marca | Infineon |
|---|---|
| Modelo | Bsm10gd120dn2 |
| Tipo de módulo IGBT | Simple |
| Altura | 20 mm |
| Largura | 45 mm |
| Comprimento | 110 mm |
| Peso | 120 g |
| É kit | Não |
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