DIODES 125 Transistor Mosfet Zxmp10a18gta Canal P 100v 3.7a Sot-223

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Transistor Mosfet DIODES 125 Zxmp10a18gta Canal P, com tensão máxima de 100V e corrente de 3.7A, no formato SOT-223. Ideal para aplicações de comutação e amplificação, oferece alta eficiência energética e baixo consumo. Seu design compacto facilita a integração em circuitos eletrônicos, proporcionando desempenho confiável e estabilidade. Perfeito para projetos que exigem controle preciso de potência e espaço reduzido.

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Descrição

Descrição do Produto: Transistor MOSFET ZXMP10A18GTA Canal P 100V 3.7A SOT-223

O Transistor MOSFET ZXMP10A18GTA é uma solução inovadora e eficiente para aplicações eletrônicas que exigem alta performance e confiabilidade. Com uma classificação de 100V e uma corrente contínua de 3.7A, este dispositivo é ideal para circuitos que demandam controle preciso de energia. O design SMD/SMT em um pacote SOT-223-4 permite uma montagem fácil e compacta, tornando-o perfeito para projetos que requerem otimização de espaço.

Este transistor possui polaridade P-Channel, o que o torna adequado para uma variedade de aplicações, desde fontes de alimentação até circuitos de comutação. Com uma resistência de dreno-fonte (Rds On) de apenas 150 mOhms, o ZXMP10A18GTA garante eficiência energética, minimizando perdas durante a operação. A tensão de limiar de gate-source (Vgs th) é de 2V, permitindo um controle eficaz sobre o dispositivo.

A robustez do ZXMP10A18GTA é evidenciada por sua ampla faixa de temperatura operacional, que varia de -55°C a +150°C, garantindo desempenho em condições adversas. Com uma dissipação de potência de até 3.9W, este transistor é capaz de suportar cargas significativas sem comprometer sua integridade. Além disso, o tempo de subida (rise time) de 6.8 ns e o tempo de descida (fall time) de 17.9 ns asseguram uma resposta rápida, essencial para aplicações que exigem alta frequência.

Benefícios Destacados pela BeOn Store:
1. Alta Eficiência Energética: Com baixa resistência de dreno-fonte, reduz perdas e melhora a eficiência do sistema.
2. Versatilidade de Aplicação: Ideal para diversas aplicações, incluindo fontes de alimentação e circuitos de controle.
3. Robustez em Condições Extremas: Opera em uma ampla faixa de temperatura, garantindo confiabilidade em ambientes desafiadores.
4. Fácil Montagem: O formato SMD/SMT facilita a integração em projetos compactos.
5. Desempenho Rápido: Resposta rápida com tempos de subida e descida curtos, ideal para circuitos de alta frequência.

– Sugestão de Uso:
Para utilizar o Transistor MOSFET ZXMP10A18GTA, recomenda-se integrá-lo em circuitos de controle de potência, onde a eficiência e a resposta rápida são cruciais. Conecte o terminal de gate ao sinal de controle, garantindo que a tensão de gate-source não exceda os limites especificados. Utilize resistores de pull-down para evitar acionamentos indesejados e assegure que a dissipação de calor seja gerenciada adequadamente, especialmente em aplicações de alta corrente.

Características do Produto:
Categoria do Produto: MOSFETs
Tecnologia: Silício (Si)
Estilo de Montagem: SMD/SMT
Pacote/Caso: SOT-223-4
Polaridade do Transistor: Canal P
Número de Canais: 1 Canal
Tensão de Quebra Dreno-Fonte (Vds): 100 V
Corrente Contínua Dreno (Id): 3.7 A
Resistência Dreno-Fonte (Rds On): 150 mOhms
Tensão Gate-Fonte (Vgs): -20 V, +20 V
Tensão Limite Gate-Fonte (Vgs th): 2 V
Carga de Gate (Qg): 26.9 nC
Temperatura Mínima de Operação: -55 °C
Temperatura Máxima de Operação: +150 °C
Dissipação de Potência (Pd): 3.9 W
Modo do Canal: Enhancement
Série: ZXMP10A
Configuração: Única
Altura: 1.65 mm
Comprimento: 6.7 mm
Largura: 3.7 mm
Peso Unitário: 112 mg
Número da Peça: ZXMP10A18GTA

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Informação adicional

Marca

DIODES

Modelo

MOSFET SMD SOT-223

Código do transistor

ZXMP10A18GTA

Formato de venda

Kit

Unidades por kit

125

Tipo de encapsulamento

SOT-223

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